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定量设计与分析

分类于 ComputerArch 标签 计算机架构 发表于2024-03-10 22:52

概念

旧的理念: ISA ->内部组件的策略问题

实际的理念:设计最棒的性能所花费的费用,电力,能量等。其中包含了ISA,Micro- Architecture,Hardware。

延迟(Latency-time)和带宽(Bandwidth-rate)

晶体管和导线的最小尺寸

集成密度的增长
晶体管性能的增长
导线延迟的问题

Amdahl’s Law

1 - Fraction(enhanced):这部分表示性能没有得到提升的部分所占的比例。如果Fraction(enhanced)是0.3,那么1 - 0.3 = 0.7,表示有70%的执行时间不会因为性能提升而改变。 2 - Fraction(enhanced)/Speedup(enhanced):这部分表示性能得到提升的部分所占的比例,并且考虑了提升后的速度。如果性能提升使得速度翻倍(Speedup(enhanced)为2),那么性能提升的部分将减少一半的执行时间。

3 - Speedup(overall): 1/((1-Fractionenhanced) + Fractionenhanced/SpeedUpenhanced)

  1. 加速比 < 1: 新系统或新算法的执行时间比旧系统或旧算法的执行时间要长,即性能没有提升,反而可能下降了。
  2. 加速比 = 1: 新系统或新算法的执行时间比旧系统或旧算法的执行时间相同,即性能没有变化。
  3. 加速比 > 1: 新系统或新算法的执行时间比旧系统或旧算法的执行时间相同,即性能得到提升。

性能Performance

时钟周期(CPU clock cycle)

提高CPU时间

减少CT

您列出的这些点是提高处理器性能的不同策略,它们涉及到处理器设计的多个方面。以下是这些策略的详细解释:

更深的流水线(Deeper pipelining)

优秀的电路设计(Really good circuit design)

技术缩放(Technology scaling)

简化的微架构(Simple microarchitecture)

**简化的ISA(Instruction Set Architecture)**:一个简单的ISA可以减少指令的复杂性,使得处理器更容易实现和优化。
**不那么激进的ILP(Instruction Level Parallelism)**:虽然ILP是提高性能的关键,但过于复杂的并行性设计可能会导致设计和调试的困难。适度的ILP可以在性能和设计复杂性之间找到平衡。

算术平均数 (Arithmetic Mean)

调和平均数 (Harmonic Mean)

调和平均数在处理速率或比率时特别有用,因为它考虑了所有速率值的倒数,这在某些情况下可以更好地反映整体性能。例如,在评估多个处理器的性能时,如果某些处理器的IPC较低,调和平均数可以给出一个更公平的比较。

在实际应用中,选择哪种平均数取决于数据的性质和分析的目的。算术平均数适用于大多数常规的平均值计算,而调和平均数则适用于处理速率或比率的场合。

功耗与电能与电容器

功耗: Energy/second。

电容器充放电: 0.5CV^2。

能效(Power Efficiency): 设备或系统在执行特定任务时消耗能量的效率。在电子设备和计算机系统中,能效是一个重要的考量因素,因为它直接关系到能源消耗、成本和环境影响。

能量损耗: 动态+静态损耗

Power Wall

减少功耗

空闲时不做无用功(Do nothing well)

DVFS 允许处理器根据当前的工作负载动态调整其工作频率和电压。在负载较低时降低频率和电压可以显著减少功耗,而当需要更多计算能力时,可以提高频率和电压。

DRAM和磁盘的低功耗状态。

关闭核心(Turning off cores):在多核处理器中,可以根据当前的工作负载关闭一些核心。这被称为核心关闭或核心停车。通过减少活跃核心的数量,可以降低处理器的总体功耗。

集成电路成本

Integrated circuit

Cost of integrated circuit = Cost of die + Cost of testing die + Cost of packaging and final test

Cost of die = Cost of wafer / Dies per wafer * Die yield

集成电路设计在流片阶段的成本,即Die per Wafer(每片晶圆的芯片数量),是由多个因素决定的。这些因素包括晶圆的尺寸、工艺节点、芯片设计的复杂性、晶圆厂的生产效率以及流片方式等。以下是这些因素对Die per Wafer的影响:

晶圆的直径越大,其面积越大,能够切割出的芯片数量也就越多。例如,300mm(12英寸)晶圆相比200mm(8英寸)晶圆可以产出更多的芯片。但是,大晶圆的生产需要更先进的设备和更高的制造精度,这也会影响成本。

工艺节点越小,意味着在相同面积的晶圆上可以集成更多的晶体管,从而在每个Die上制造更多的功能。这样,即使晶圆尺寸不变,每片晶圆上可以产出的芯片数量也会增加。但是,更小的工艺节点通常意味着更高的制造成本和更复杂的生产流程。

芯片设计的复杂性也会影响Die per Wafer。设计越复杂,单个芯片的面积可能越大,这意味着在同样尺寸的晶圆上能够切割出的芯片数量会减少。相反,简单的设计可以在晶圆上放置更多的芯片。

晶圆厂的生产效率,包括设备的运行效率和工艺流程的优化,也会影响Die per Wafer。高效的生产可以减少浪费,提高晶圆的利用率,从而增加每片晶圆上的芯片数量。

流片方式,如Full Mask和MPW(Multi Project Wafer),也会影响Die per Wafer。Full Mask方式通常用于大批量生产,可以优化Die的布局以最大化晶圆的使用效率。而MPW方式则是多个设计共享一个晶圆,可能会牺牲一些效率来适应不同设计的需要。

总结

Die per Wafer是衡量集成电路生产效率和成本效益的一个重要指标。设计公司和晶圆厂需要综合考虑上述因素,通过优化设计、提高生产效率和合理选择工艺节点等方式,来最大化每片晶圆上的芯片数量,从而降低单位芯片的成本。同时,政府的政策支持和补贴也可以帮助降低流片成本,促进集成电路产业的发展。